台积电：A14 制程过去三个月进展迅速，手机、AI 等领域客户兴趣强烈

咕噜早报

IT之家 7 月 18 日消息，据外媒 Tom's Hardware 当地时间 17 日报道，台积电本周在财报电话会上表示，A14（1.4 纳米级）制程 过去三个月取得快速进展 ，成熟速度明显领先于 N2 开发至相同阶段时的表现。

台积电 CEO 魏哲家还透露， 智能手机、AI 和高性能计算领域的客户均对 A14 展现出强烈兴趣 ，并已积极投入设计工作。

“A14 技术开发正按计划顺利推进。

内部类产品测试载具的器件性能已经接近目标水平的 90%，256Mb SRAM 良率也接近 90%。

”

A14 预计于 2028 年下半年 投入量产，性能与良率近几个月均有显著提升。

今年 4 月，A14 已经达到 超过 85% 的目标晶体管性能 ，256Mb SRAM 良率则超过 80%。

大约三个月后， 两项数据双双逼近 90% ，器件性能提高约 5 个百分点，SRAM 良率提升近 10 个百分点。

N2 在相同开发阶段的表现明显较慢。

2023 年 4 月，N2 达到超过 80% 的目标器件性能，但 256Mb SRAM 测试芯片良率仅超过 50%。

直到 2024 年 4 月，N2 才实现超过 90% 的目标器件性能和超过 80% 的 SRAM 良率。

不同制程的开发进度不能完全横向比较，但现有数据仍表明，A14 的成熟速度大幅领先于 N2。

差异或与台积电逐渐掌握 全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管 有关。

N2 是台积电首项采用 GAA 纳米片晶体管的制程，2023 年开发 N2 时，台积电仍缺乏生产经验。

A14 则采用第二代 GAA 器件，可以充分利用 N2 开发及扩大产能过程中积累的晶体管设计、制程优化和制造经验。

消息称台积电已经解决 A14 与 N2 中的 大量良率瓶颈 。

不过，256Mb SRAM 取得较高良率，只能证明高度重复的测试结构拥有较低缺陷密度和良好制程均匀性，不能直接说明商用处理器也能达到相同的功能良率和参数良率。

IT之家从报道中获悉，A14 距离预计量产时间仍有约两年半，器件性能和 256Mb SRAM 良率却都已接近 90%，整体进度远超同期 N2。

只要客户设计及时完成，台积电便可能提前启动 A14 大批量生产，或在量产初期实现高于通常水平的功能良率和参数良率。

魏哲家表示，客户正 加快 A14 芯片设计 ，争取提前完成流片，释放出积极信号。

“我们看到智能手机、AI 和高性能计算客户均表现出强烈兴趣，并积极参与开发。

客户的新设计流片工作正在推进，进度也快于计划。

”

A14 结合台积电第二代 GAA 纳米片晶体管和全新标准单元架构，目标是同时提高性能、能效与晶体管密度。

与 N2 相比，在功耗和晶体管数量相同的情况下，A14 性能预计提高 10% 至 15%；

在运行频率和设计复杂度相同的情况下，功耗预计降低 25% 至 30%。

混合设计的晶体管密度预计提高约 20%，逻辑设计则可提高 23%。